刘斯扬

姓名 刘斯扬

出生年月 1987.5

学历 博士研究生

职称 教授

职务  无

邮箱 liusy2017@seu.edu.cn

基本信息

个人简介

 东南大学青年首席教授，博导，入选国家高层次人才、江苏省333高层次人才培养工程—中青年学术技术带头人，东南大学至善青年学者（A层次）。主要从事功率半导体器件设计及可靠性研究，主持国家自然科学基金、国家重点研发计划、江苏省自然科学基金等项目12项。在IEEE TIE、TPE、EDL、TED等国际权威期刊发表SCI论文92篇（其中第一作者28篇），在功率半导体领域顶会ISPSD等国际会议发表论文15篇（其中第一作者8篇），获美国专利3项、中国发明专利32项。研究成果获国家技术发明二等奖（排2）、江苏省科学技术一等奖（排2），教育部技术发明一等奖（排4）。

教育经历

(1) 2011-3至2015-1, 东南大学, 微电子学与固体电子学, 博士；

(2) 2008-9至2011-2, 东南大学, 微电子学与固体电子学, 硕士；

(3) 2009-1至2010-12，法国雷恩第一大学，电子科学与技术，硕士；

(4) 2004-9至2008-6, 合肥工业大学, 微电子学, 学士

工作经历

(1)2021-4至今, 东南大学, 电子科学与工程学院, 教授, 博导；

(2)2017-3至2021-3, 东南大学, 电子科学与工程学院, 副研究员, 博导；

(3) 2015-8至2016-8, 美国北卡罗莱纳州立大学, 电子科学与计算工程学院，访问学者；

(4) 2015-1至2017-2, 东南大学, 博士后；

科学研究

研究领域或方向

功率半导体器件设计

研究成果

[1] Siyang Liu, Xin Tong, Jiaxing Wei, Weifeng Sun, “Lightning Surge Robustness Analysis and Optimization for an LED Driver Based on a Flyback Converter”, IEEE Trans. on Industrial Electronics, 2021, 68(11), pp.10449-10458.

[2] Siyang Liu, Sheng Li, Chi Zhang, Ningbo Li, Xinyi Tao, Weifeng Sun, “Single Pulse Unclamped-Inductive-Switching Induced Failure and Analysis for 650V p-GaN HEMT”, IEEE Trans. on Power Electronics, 2020, 35(11), pp.11328-11331.

[3] Siyang Liu, Xin Tong, Jiaxing Wei, Weifeng Sun, “Single-pulse Avalanche Failure Investigations of Si-SJ-MOSFET and SiC-MOSFET by Step-control Infrared Thermography Method”, IEEE Trans. on Power Electronics, 2020, 35(5), pp.5180-5189.

[4] Siyang Liu, Lu Li, Ran Ye, Haibo Wu, Wangran Wu, Weifeng Sun, Shulang Ma, Boyong He, Wei Su, “Hot-carrier-induced Degradation and Optimization for 700V High-voltage Lateral DMOS by the AC Stress”, IEEE Trans. on Electron Devices, 2020, 67(3), pp.1090-1097.

[5] Siyang Liu, Ran Ye, Weifeng Sun, Longxing Shi, “A Novel Lateral DMOS Transistor With H-Shape Shallow-Trench-Isolation Structure”, IEEE Trans. on Electron Devices, 2018, 65(11), pp. 5218-5221.

荣誉奖励

(1) 2020年度国家技术发明二等奖（排2）；

(2) 2019年江苏省科学技术一等奖 (排2);

(3) 2014年教育部技术发明一等奖 (排4);

(4) 2021年度东南大学五四青年奖章；

团队及招生情况

团队介绍

招生情况